전자공학기초실험 | 트랜지스터의 직류 특성

 

 

 

TIP

 

 

반도체 증폭기 소자의 기본인 트랜지스터의 전압-전류 특성 곡선을 조사한다.

 

 

 

트랜지스터의 구조

트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 이들의 구조와 기호는 그림 1과 같다. PN 접합면 중에서 베이스 영역은 매우 얇고 약하게 도핑 되어 있으며, 이미터는 강하게 도핑하고 콜렉터 영역은 일반적으로 적절하게 도핑 되어 있다. 물리적 구조로 보면 콜렉터가 보통 대전력 트랜지스터의 경우 케이스와 전기적으로 연결되어 있어 콜렉터 영역에서 열을 발산시킬 수 있도록 되어 있다.

 

NPN

 

PNP

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실험 방법

1. 베이스 바이어스 회로

1) 그림의 회로를 결선하여라.

 

2) I_B를 10㎂로 만들기 위해서 V_RB를 1.0V로 맞추어라.(IB = V_RB/R_B)

 

3) V_CE를 2V로 조절한다.

 

4) V_RC와 V_RB를 측정 기록한다.

 

5) V_CE를 2V∼16V까지 변화하면서 기록한다.( V_BE는 mV 범위로 기록)

 

6) V_RB를 2.0V, 3.0V, 4.0V, 5.0V때 위의 과정을 반복하라.

 

7) I_C(V_RC/R_C), I_E(I_B+I_C), α, β를 계산하여 표에 기록하고 그래프를 그려라.  

  

 

 

[전자공학기초실험]트랜지스터의 직류 특성 레포트