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  반도체공정실험 | Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry etching, Metal Deposition, Annealing(Silcidation) Cleaning & Oxidation MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다. 1. 실험 과정 1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의 표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다. 2) QDR (Quick Drain Rinse) - DI 용액을 이용하여 헹군다. 3) Spin Dryer - 30분 동안 700rpm 속도로 회전시켜 Wafer 표면의 물기를 완전히 제거한다. 4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확.. Engineering/신소재 공학 2022. 9. 18.

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  신소재공학실험 | Silicon wafer TIP 1. Silicon의 결정구조를 이해하고 Silicon wafer의 flat zone을 확인하여 본다. 2. easy cleaving direction을 확인하고, 실제 결정구조와의 상관관계를 알아본다. Silicon Wafer Silicon Wafer는 기판을 만드는 기초소재로 고순도 실리콘을 전기로 내에서 단결정 실리콘으로 성장시킨 후 절단, 연마 등의 공정을 거쳐 생산됩니다. 단결정 실리콘 반도체의 얇은 판이고, 트랜지스터나 다이오드 등의 반도체 소자가 만들어지는 기판 1. Silicon wafer 특성 : 단결정이고 결함의 수가 매우 적고 이방성을 가지고 있다. 또한, 도핑이 가능하여 전기적 성질을 제어할 수 있다. 2. Silicon wafer의 결정 구조 : diamond 구조를 가지고.. Engineering/신소재 공학 2022. 6. 12.