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  신소재기초실험 | 산화 공정 - Oxidation Process TIP 산화공정의 진행 순서 및 기본원리를 이해하고 실험결과를 비교, 고찰해본다. 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800～1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하고 반도체 소자에서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질이다. 그러므로 고품질의 SiO2 박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다. 산화 공정 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800～1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성시키는 공정이다 실리콘 산화막은 실.. Engineering/신소재 공학 2020. 4. 22.

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  재료공학개론 | Photolithography and Hall effect Photolithography 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 얻고자 하는 pattern의 mask를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 mask의 pattern과 동일한 pattern을 형성시키는 것이다. Photolithography는 일반사진의 film에 해당하는 photo resist를 도포하는 PR 도포공정, mask를 이용하여 선택적으로 빛을 조사하는 노광공정, 다음에 현상액을 이용하여 빛을 받은 부분의 PR을 제거하여 pattern을 형성시키는 현상공정으로 구성된다. Cleaning 공정 Wafer에 잔류한 유기, 무기질의 불순물(solvent, hydrous, ionic contamination) 등.. Engineering/재료 공학 2020. 1. 5.