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  반도체공정실험 | Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry etching, Metal Deposition, Annealing(Silcidation) Cleaning & Oxidation MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다. 1. 실험 과정 1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의 표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다. 2) QDR (Quick Drain Rinse) - DI 용액을 이용하여 헹군다. 3) Spin Dryer - 30분 동안 700rpm 속도로 회전시켜 Wafer 표면의 물기를 완전히 제거한다. 4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확.. Engineering/신소재 공학 2022. 9. 18.

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  반도체공정실험 | Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry Etching, Metal Deposition Cleaning & Oxidation 먼저 Wafer Cleaning Process를 통해 Native Oxide와 Wafer 표면의 유기물, 이온, 금속 물질 등등의 이물질들을 제거한 뒤 Oxidation Temperature를 1000℃로 고정하고 Time을 조정하면서 실험변수가 Oxide 두께에 어떤 영향을 미치는지 알아보는 실험이다. 이때 Ellipsometry를 이용하는데 투명한 박막과 기판의 경계면에 반사하는 빛의 반사율과 편광각을 측정함으로서, 박막의 굴절율과 두께를 동시에 구할 수 있다. 1. 실험 방법 1) 실험변수 설정 ① Oxidation Time – 2시간, 4시간, 6시간 2) Wafer Cleaning ① 100방향성 p-type Si wafer 준비 ② BOE(Buffered .. Engineering/신소재 공학 2022. 9. 17.