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  반도체공정실험 | Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry etching, Metal Deposition, Annealing(Silcidation) Cleaning & Oxidation MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다. 1. 실험 과정 1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의 표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다. 2) QDR (Quick Drain Rinse) - DI 용액을 이용하여 헹군다. 3) Spin Dryer - 30분 동안 700rpm 속도로 회전시켜 Wafer 표면의 물기를 완전히 제거한다. 4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확.. Engineering/신소재 공학 2022. 9. 18.

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  반도체공정실험 | Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry Etching, Metal Deposition Cleaning & Oxidation 먼저 Wafer Cleaning Process를 통해 Native Oxide와 Wafer 표면의 유기물, 이온, 금속 물질 등등의 이물질들을 제거한 뒤 Oxidation Temperature를 1000℃로 고정하고 Time을 조정하면서 실험변수가 Oxide 두께에 어떤 영향을 미치는지 알아보는 실험이다. 이때 Ellipsometry를 이용하는데 투명한 박막과 기판의 경계면에 반사하는 빛의 반사율과 편광각을 측정함으로서, 박막의 굴절율과 두께를 동시에 구할 수 있다. 1. 실험 방법 1) 실험변수 설정 ① Oxidation Time – 2시간, 4시간, 6시간 2) Wafer Cleaning ① 100방향성 p-type Si wafer 준비 ② BOE(Buffered .. Engineering/신소재 공학 2022. 9. 17.

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  유기화학실험 | Hexanedioic acid(Adipic acid)의 합성(Oxidation) TIP 알칼리 조건에서 시클로헥사논과 과망간산칼륨을 반응시켜 아디프산을 합성한다. 유기화학에서 산화와 환원 유기 산화·환원 반응은 유기화합물과 함께 일어나는 산화 환원 반응이다. 유기화학에서 산화와 환원은 대부분 일반적인(전기화학적 의미에서의) 분명한 전자 이동을 포함하지 않는다. 대신 유기 산화에 대한 기준은 아래와 같이 설명할 수 있다. 산화 환원 Z= N, O, X 등 (탄소보다 전기음성도가 큰 원소) C-H 결합수 감소 C-Z 결합수 증가 C-H 결합수 증가 C-Z 결합수 감소 ∴ C의 전자밀도 감소 ∴ C의 전자밀도 증가 예를 들어 메테인의 연소 반응에서 메탄이 이산화탄소로 산화되면 산화수가 –4에서 +4로 바뀐다. 이러한 규칙에 따라 유기화학에서 다루는 작용기들은 산화 상태가 증가하는 순서로 .. Chemistry/유기화학 2022. 9. 3.

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  유기화학실험 | Oxidation of 1-(2-naphthyl)ethanol TIP 알코올을 산화시켜 케톤을 얻는다. Chromic acid 생성 실험 방법 1. 실험 과정 1) 50㎖의 둥근 플라스크에 1-(2-naphthyl)ethanol 0.35g(=2m㏖)과 diethyl ether 10㎖를 가한 후 ice bath에 넣고 10분 동안 교반한다. 2) Chromic acid 용액 2㎖(=2.6m㏖)을 5분에 걸쳐서 방울방울 가하면 반응용액의 색이 dark brown>dark green으로 변한다. 3) Ice bath를 제거한 후 실온에서 20분간 교반한다. 4) 반응 혼합물을 separatory funnel에 붓고 diethyl ether 약 20㎖를 사용하여 반응플라스크를 씻어 넣는다. 증류수 20㎖를 가하여 흔든 후 정치하여 층 분리가 되면 아래층을 삼각 플라스크에 .. Chemistry/유기화학 2022. 1. 4.

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  유기화학실험 | Hydroboration and Oxidation of 1-Hexene to Make 1-Hexanol TIP Hydroboration 반응을 통하여 1-Hexene 에서 anti-markonikov 법칙을 따르는, 즉 less substituted된 반응물인 1-Hexanol 을 합성하여 보고 NMR spectrum과 IR spectrum을 이용하여 확인해 본다. 본 실험은 1-Hexene을 starting material로 하여 hydroboration 과 oxidation 반응을 연속적으로 진행 하여 최종적으로 1-Hexanol을 합성하는 실험이다. 첫 번째 반응인 hydronoration은 borane (BH3)이 THF solvent에서 1-Hexene에 borane addition을 하는 반응으로 1-Hexene과 반응을 하면, 세 1-Hexene 분자가 borane에 연속적으로 addition.. Chemistry/유기화학 2020. 9. 12.

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  분석화학실험 | 비타민 C의 정량 - Dinitrophenyl Hydrazine 비색법 TIP 1. Hydrazine 비색법의 원리를 이해하여 본다. 2. 시료(레몬)의 총 비타민C 함량을 구할 수 있다. Hydrazine 비색법 이 방법은 매우 미량의 vitamin C도 정확하게 정량할 수 있다는 것이 장점이다. 산화형 비타민 C (Dehydroascorbic acid)는 2,4-dinitrophenyl hydrazine(이하 DNP)과 작용하여 정량적으로 적색의 osazone을 생성하므로 이의 85% H2SO4 용액의 정색을 비색 측정하여 산화형 비타민 C를 정량할 수 있다. 즉, 시료 중의 ascorbic acid를 산화하여 dehydroascorbic acid로 만들고, 시료 중에 처음부터 함유되어 있는 산화형 비타민 C와 함께 정량하여 총 비타민 C의 양으로 한다. 처음부터 함유되.. Chemistry/분석화학 2020. 7. 5.

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  신소재기초실험 | 산화 공정 - Oxidation Process TIP 산화공정의 진행 순서 및 기본원리를 이해하고 실험결과를 비교, 고찰해본다. 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800～1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하고 반도체 소자에서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질이다. 그러므로 고품질의 SiO2 박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다. 산화 공정 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800～1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성시키는 공정이다 실리콘 산화막은 실.. Engineering/신소재 공학 2020. 4. 22.

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  화학 이론 | 산화와 환원 산화와 환원 산화-환원반응(oxidation-reduction reaction ; redox reaction)은 많은 화학반응 중에서 가장 중요한 반응의 하나이다. 실제로 에너지를 얻기 위해서 이루어지는 모든 화학반응은 산화-환원 반응이다. 연료의 연소, 전지에 의한 전기의 발생, 전기분해반응 그리고 음식물의 대사 등은 산화-환원 반응이며, 그밖에 광석에서 금속을 얻는 것도 산화-환원 반응을 이용한 것이다. 아연 금속조각을 구리(Ⅱ) 이온이 함유된 푸른색 용액에 넣었을 때, 아연은 점차로 녹고 구리가 침전되면서 구리(Ⅱ) 이온의 용액은 푸른색을 잃게 된다. 이 반응에서 한 금속이 생성되는 동안에 다른 금속이 소모되기 때문에 산화와 환원이 동시에 일어나고 있음을 알 수 있다. 실제로 산화에는 반드시 환원이.. Chemistry/생활 속 화학 2019. 8. 24.